Micron рассказала об оверклокерском потенциале памяти GDDR6

Корпорация Micron Technology в недавней исследовательской статье рассказала о скоростном потенциале памяти GDDR6, которая найдёт применение в следующем поколении графических адаптеров. Напомним, массовое производство данного типа микросхем уже в полном разгаре, а первыми видеокартами с памятью GDDR6, как ожидается, станут новые high-end решения линейки GeForce GTX.

В своём материале специалисты Micron рассказывают о главных особенностях памяти GDDR6, направленных на увеличение пропускной способности,  а также эволюционных отличиях от стандартов GDDR5 и GDDR5X. Однако наибольший интерес вызывает исследование скоростного потенциала нового вида памяти.

Оказалось, что чипы GDDR6 производства Micron, рассчитанные на скорость передачи информации в 16,5 Гбит/с на контакт, при небольшом увеличении напряжения в цепях ввода/вывода способны работать на скорости до 20 Гбит/с. Для сравнения, привычные микросхемы GDDR5 и GDDR5X обеспечивают скорость передачи данных около 8 и 10 Гбит/с соответственно.

На практике столь высокая пропускная способность разогнанных чипов GDDR6 поможет им составить конкуренцию многослойной памяти HBM2. К примеру, графический адаптер с 256-битной шиной, оборудованный подобными микросхемами, будет обладать пропускной способностью памяти (ПСП) в 640 Гбайт/с, что соответствует показателям ускорителя Nvidia Titan V (653 Гбайт/с) с памятью HBM2. При увеличении шины памяти до 384 разрядов ПСП составит около 960 Гбайт/с, больше чем у Tesla V100 — самого мощного одночипового ускорителя на сегодняшний день.

Источник:
WCCFTech